AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場負效應單晶體管BI國產的1位置。HiFET是種要素配比的專利權機械設備顯卡配置,用做直流電、大耗油率和聯通寬帶用。這一要素的總電子元器件外邊為2mm(多個1毫米左右的FET串聯和并聯)。AM010WH2-BI-R專為中事業效率紅外光操作而開發,事業頻點會達12GHz。它也是更重電機功率主設備的非常完美動力程序流程。BI一系列利用唯一性設計的概念的瓷磚打包封裝,利用融入到式裝設方式英文,中帶打彎(BI-G)或直(BI)高壓導線。裝封下端的活套法蘭一同充當直流電與地面、微波射頻與地面和熱通暢。此位置符合國家RoHS。
特色
可高達12GHz的低頻操作步驟
高收獲和高電率,P1dB=30dbm@3.5GHz
外壁貼裝
有效果風扇散熱的低層
選用
遠程本地服務環鐵路網絡
蜂窩有線電無線通信
WLAN、中繼器和超無線局域網
C中波段VSAT
預警雷達
中文翻譯
紅外光元元器