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微波射頻元電子器件
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI一系列的一部電影分。HiFET是種部位適應的專屬設配選配，使用于壓力、大效率、高規則化和網絡帶寬操作。該部件的總設配外層為4分米。AM010MH4-BI-R專為高輸出功率紅外光選用而制作，崗位速率超過3GHz。BI系列的按照特殊的設計制作的陶瓷圖片封口，可以彎曲的或直挺挺的引線和蝶閥法蘭片按照復制式安轉辦法。紙盒包裝頂端的蝶閥法蘭片一同看作直流電一定接地裝置、頻射一定接地裝置和熱管道。一種HiFET具備RoHS標準。
顯著特點
28V漏極偏壓
聯通寬帶組成部分識別：DC–2.4GHz
高達模型3 GHz的中頻方法
高增加收益：G=19dB@2.0GHz
高電功率：P1dB=31dBm@2.0GHz
高線型：IP3=46dBm@2.0GHz
有用，散熱處理的瓷器禮品盒
選用
移動寬帶用
油田20至28V
無限本土環交通網絡
PC基站天線
WLAN、中繼器和超無線局域網
C股票波段VSAT
航空航天電子技術溝通