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微波射頻元電子器件
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI一系列的一部電影分。HiFET是種部位適應的專屬設配選配，使用于壓力、大效率和移動寬帶應用。該結構件的總設配外邊為12.8公厘。AM032MH4-BI-R專為高電率徽波應用軟件而設計的概念，任務頻點可高達6GHz。BI類別按照特種制作的工業陶瓷二極管封裝，耐折或彎彎曲曲的引線和卡箍按照復制式裝有玩法。包裝設計上端的卡箍時算作整流接地保護保護、頻射接地保護保護和熱檢修通道。這個HiFET達到RoHS規則。
顯著特點
28伏漏極偏壓
光纖寬帶環節適應：DC–2.4GHz
高至6GHz的低頻操作使用
高增加收益：G=19dB@2GHz
高電率：P1dB=35dBm@2.0GHz
高波形：IP3=50dBm@2.0GHz
有用，散熱處理的淘瓷包裝
應用軟件
帶寬利用
高壓變壓器20至28V
遠程地方環道路絡
PC基站設備
WLAN、中繼器和超虛擬局域網
C頻譜VSAT
航天電子設備數據通信