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紅外光元電子器件
AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI一系列的一臺分。HiFET就是一種局部相匹配的高新產品裝置運行環境，主要用于直流高壓、大工率和寬帶網絡技術應用。該局部的總裝置外面為4公分（三個2毫米（mm）FET并聯電路圖）。AM020WH2-BI-R專為高耗油率微波通信選用而定制，運行幾率可以達到12GHz。它也是大工率機器的很好帶動過程。BI類別運用特別的制作的陶瓷制品封裝形式，運用融入式使用方式英文，攜帶可以彎曲的（BI-G）或直（BI）高壓導線。封裝底下的活套法蘭同一作為直流電壓等電位連接系統、頻射等電位連接系統和熱區域。此位置契合RoHS。
共同點
高達獨角獸12GHz的高頻率運營
高收獲和高電功率，P1dB=33 dBm@4 GHz
單單從表面貼裝
可以有效導熱的表層
使用
無線數字本地服務環鐵路網絡
蜂窩有線電通信設備
WLAN、中繼器和超網段
C中波段VSAT
統計