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AM030WH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系例的三有些。HiFET就是一種局部適應的國家專利設施設配配值，使用于髙壓、大額定功率、高直線和聯通寬帶使用。這局部設施設配的總內圍為12mm毫米。AM030WH4-BI-R專為高電率微波加熱使用而的設計，運作頻次達到6GHz。BI系統主要主要采用專項 設計構思的瓷質封裝，直或彎的引線和蝶閥法蘭部主要主要采用導入式進行安裝具體方法。包裝機下面的蝶閥法蘭部還看做直流變壓器一定一定接地、微波射頻一定一定接地和熱區域。在這種HiFET包含RoHS基準。

優點

·20至32伏漏極偏壓

·可以達到6GHz的低頻操作使用

·高增益值：G=19dB@2GHz

·高效率：P1dB=37dBm@2.4GHz

·高線型：IP3=50dBm@2.4GHz

·很好散熱性能的陶瓷廠家封裝

利用

·移動寬帶應該用

·高壓20至32V

·無線路由本地人環交通網絡

·各人算出機移動通信基站

·WLAN、中繼器和超內網

·C中波段VSAT

·航空運輸電子廠通信設備