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貼片電阻

重點性能指標

貼片功率電阻,比較高250瓦，比較高26 GHz

API Inmet打造了好幾種Powerfilm ?片式電容器。這個面貼裝開關元件常常廣泛用于混合著衰減器和威爾金森工率左右器中。貼片電容的阻值范疇從5到300歐姆，有很多規格尺寸和面辦理可供挑選。同一裝修設計，值和高級設置也可應需要打造。

服務祥情講解

貼片電容

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
26TPC20-40	1	26	BeO	Thick	X, W, S	G, N, T, H	0.02	0.04	0.01
	60	3	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.06
	20	4	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
ANC200-200	30	4	AlN	Thin	X, S	N, T, H	0.2	0.2	0.04
	40	2.5	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.25	0.25	0.04
ANC250-375	150	3	AlN	Thin	X	N, T, H	0.25	0.375	0.04
ANC350-225	100	2	AlN	Thin	X	N, T, H	0.35	0.225	0.04
ANC375-375	200	1	AlN	Thin	X	N, T, H	0.375	0.375	0.04
	10	2.5	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
	5	4	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
KAC100-200A	20	3	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
KAC250-250A	75	5	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.25	0.25	0.04
KAC250-375A	100	3	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.25	0.375	0.04
KAC60-120A	10	4	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.06	0.12	0.025
	3	18	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.02	0.04	0.01
	5	12.4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.025	0.05	0.01
	25	4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.05	0.1	0.01
	8	10	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.05	0.05	0.01
	50	4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.075	0.15	0.01
PC50-50	5	4	Alumina	Thick	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
	65	4	BeO	Thin	X, W, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
	125	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.04
	80	1.5	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.06
	150	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.375	0.04
	250	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.375	0.375	0.04
	10	8	BeO	Thin	X, S	N, T, H	0.05	0.1	0.04
	10	6	BeO	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.1	0.025

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