CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備利用UMMS 0.25μm馬力pHEMT流程造成,其中包括經過柔性板的通孔和氣流橋。
考慮到簡單化制做全過程:
IC芯片的反面同一頻射和交流電保護接地
焊盤和正面均電鍍金,以與共晶電源芯片映照方式和熱壓鍵合技藝兼容。
微波射頻元電子元件
CHA7114-99F 變小器– HPArf射頻上行速率(GHZ): 8.5-11.5增益控制(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB輸入(dBm):-導出工作效率(dBm):39.8定貨交貨:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備利用UMMS 0.25μm馬力pHEMT流程造成,其中包括經過柔性板的通孔和氣流橋。
考慮到簡單化制做全過程:
IC芯片的反面同一頻射和交流電保護接地
焊盤和正面均電鍍金,以與共晶電源芯片映照方式和熱壓鍵合技藝兼容。