CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板運用標淮的pHEMT加工制造出:柵極高度0.25μm,能夠 基材的通孔,空氣質量橋和電子技術束柵神行者刻。
它應用無鉛封口。
微波加熱元電子元件封裝
CHA3666-QAG 放大器– LNA
微波射頻帶寬起步(GHZ): 5.8 - 17增益控制(dB):21增益控制同軸度(dB):0.5低頻噪音數值(dB):1.8P-1dB傳輸(dBm):16訂購交貨:3-4周CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板運用標淮的pHEMT加工制造出:柵極高度0.25μm,能夠 基材的通孔,空氣質量橋和電子技術束柵神行者刻。
它應用無鉛封口。