CHA2193-99F是一款三級低噪聲放大器。芯片的背面是RF和DC接地。這有助于簡化組裝過程。
它設計方案適用從軍事到商業樓安全可靠設計的普遍運用。
該電源線路采取pHEMT新工藝研發的技術,柵極總長度為0.25μm,確認基鋼板的通孔,氧氣橋和光電子束柵幻影刻的技術研發的技術。
它以電子器件行駛帶來了。
微波射頻元功率器件
CHA2193-99F 放大器– LNA
rf射頻傳輸速率(GHZ):20 - 30增加收益(dB):18增益值同軸度(dB):2噪音分貝常數(dB):8P-1dB輸出(dBm):60定購貨期:3-4周CHA2193-99F是一款三級低噪聲放大器。芯片的背面是RF和DC接地。這有助于簡化組裝過程。
它設計方案適用從軍事到商業樓安全可靠設計的普遍運用。
該電源線路采取pHEMT新工藝研發的技術,柵極總長度為0.25μm,確認基鋼板的通孔,氧氣橋和光電子束柵幻影刻的技術研發的技術。
它以電子器件行駛帶來了。