CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用規范的pHEMT加工過程加工:柵極的長度0.25μm,實現柔性板的通孔,熱空氣橋和光電束柵流星刻。
它以IC芯片主要形式供應。
微波加熱元電子元件
CHA2190-99F 放大器– LNA
微波射頻上行寬帶(GHZ):20 - 30增益值(dB):15收獲同軸度(dB):0.5噪音污染指數公式(dB):2.2P-1dB工作輸出(dBm):11定貨貨期:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用規范的pHEMT加工過程加工:柵極的長度0.25μm,實現柔性板的通孔,熱空氣橋和光電束柵流星刻。
它以IC芯片主要形式供應。