CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它裝修設計應用領域在從軍事到商業服務數據通信操作系統的很廣應用領域。
該電路系統選取pHEMT的工藝制作,柵極長寬高為0.15μm,借助襯底的通孔,暖空氣橋和手機束柵極夜刻技巧制作。
它以基帶芯片內容出具。
紅外光元器材
CHA2157-99F 放大器– LNA
微波射頻上行速率(GHZ):55-65增加收益(dB):10收獲同軸度(dB):1噪聲污染比率(dB):3.5P-1dB輸入輸出(dBm):15訂購貨期:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它裝修設計應用領域在從軍事到商業服務數據通信操作系統的很廣應用領域。
該電路系統選取pHEMT的工藝制作,柵極長寬高為0.15μm,借助襯底的通孔,暖空氣橋和手機束柵極夜刻技巧制作。
它以基帶芯片內容出具。