CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該的產品為統計和中國移動等多種RF電源線應運提供了代用和帶寬消除情況報告。
該電源電路是在SiC襯底上按照0.25μm柵長的GaN HEMT工藝開發的。
它以裸電子器件樣式要求,從而需內部相匹配三極管。
紅外光元集成電路芯片
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻率(GHz):17 @ 6運行規律(GHz): 敢達10GHz趨于穩定熱效率(W): 14PAE(%)@頻帶寬度(GHz): 70 @ 6購貨交貨時間:3-4周CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該的產品為統計和中國移動等多種RF電源線應運提供了代用和帶寬消除情況報告。
該電源電路是在SiC襯底上按照0.25μm柵長的GaN HEMT工藝開發的。
它以裸電子器件樣式要求,從而需內部相匹配三極管。