CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該服務為預警雷達和電信網絡等各類RF24v電源APP打造代用和帶寬處理實施方案。
它是研究背景SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT系統開發技術的,并尤其是符合標準RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制指令的中規定。
它以裸集成ic內容入憲,還有就是要 外部相匹配電路設計。
徽波元配件
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@規律(GHz): 14 @ 6工作的工作頻率(GHz):更多6個過飽和耗油率(W): 20PAE(%)@概率(GHz): 60 @ 6定購貨期:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該服務為預警雷達和電信網絡等各類RF24v電源APP打造代用和帶寬處理實施方案。
它是研究背景SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT系統開發技術的,并尤其是符合標準RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制指令的中規定。
它以裸集成ic內容入憲,還有就是要 外部相匹配電路設計。