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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

關鍵性產品參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻上行速率（GHz）： 1.2-1.4小訊號增加收益（dB）：20工作功率（W）：200相應增益值（dB）： > 14P-1dB的輸出（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨期：3-4周

商品內容了解

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

特別適脈寬雷達探測應運。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工工藝上提供的。它針對準MMIC工藝。

它使用密封性能法蘭盤陶瓷廠家黑色金屬電封裝形式，可展示低鉆入和低熱擴散系數。

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