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CGH35060P1大功率氮化鎵功放60W
CGH35060P1大功率氮化鎵功放60W
主要性能參數

頻率范圍：3.3-3.6GHz

額定功率： 60W 谷值增加收益： 12dB事業電流值：28V芯片封口：Pill丸狀芯片封口

特惠價 訂貨周期：2-3周


品牌：CREE

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CGH35060P1




Yes
GaN on SiC
3.3 GHz
3.6 GHz
60 W
12 dB
25%
28 V
Packaged Discrete Transistor
Pill


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