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紅外光元功率器件
AM025WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長度為2.5mm。它也是個衛浴陶瓷封裝形式，本職工作頻次高達mg8千兆赫。BI全系列主要主要采用異常設汁的淘瓷芯片封裝，主要主要采用置入式按裝形式，中有微彎（BI-G）或直（BI）輸電線。芯片封裝底端的法蘭盤一同用做交流電地線極、rf射頻地線極和熱出入口。此那部分按照RoHS。
特點
高至8GHz的高頻運行
收獲=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
外表貼裝
有用cpu散熱的最底層
應該用
高動態展示收到器
蜂窩無線數字基站天線
帶寬和窄帶圖像放大器電路
汽車雷達
考試分析儀器
日本軍事
干預器