中文字幕
微波射頻元元器
AM012WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高寬比為1.25mm毫米。它是在一陶瓷制品雙包操作流程更是高達10千兆赫。BI全系列進行特定方案的陶瓷制品裝封，進行融入到式重新安裝措施，中含彎度（BI-G）或直（BI）電纜。封裝形式下端的法蘭盤同樣重復使用整流一定接地線、頻射一定接地線和熱工作區。此環節具有RoHS。
優點
達到10GHz的高頻實際操作
增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外面貼裝
合理有效，散熱處理的下層
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