AM005WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總總寬為0.5mm。它有的是個瓷磚封口,本職工作頻繁電動車續航12ghz。BI系列表選擇特別來設計的陶瓷制品封裝類型,選擇植入式的安裝方式方法,可能含有彎度(BI-G)或直(BI)電纜。芯片封裝邊側的法蘭片時候用在直流電源接地極線、頻射接地極線和熱路通道。此一部分符合標準RoHS。
本質特征
達12GHz的低頻操作使用
收獲=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
表面上貼裝
合理有效蒸發器的下層社會
運用
高動態數據受到器
蜂窩遠程移動通信基站
網絡帶寬和窄帶圖像放大器電路
汽車雷達
測試機器設備
軍事
干撓器
中文版
微波通信元元器