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AM025WN-00-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總大小為2.5公分（這兩個1.25mm毫米FET電容串聯）。它是一個個裸模，可操作的高達mg15千兆赫。它可提高40.5 dBm的常見飽和狀態瓦數。此局部契合RoHS。

共同點

達到了15GHz的高頻率進行

在2GHz時增益控制=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

用途

蜂窩手機無線信號塔

wifi手機虛擬局域網、中繼器

C光波VSAT

雷達探測

測量議器

軍事