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徽波元電子電子元件
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI國產的那環節。HiFET有的是種大部分識別的專屬了產品調試，用來高壓低壓、大電功率和寬帶網絡利用。該部分的總產品外層為12.8豪米。AM032MH4-BI-R專為高運轉效率微波加熱操作而設計的概念，運轉頻繁 達到了6GHz。BI系類主要包括特別構思的陶瓷廠家封裝類型，可以彎曲的或挺直的引線和卡箍主要包括放進去式裝配原則。包裝箱尾部的卡箍一起做直流電源地線、頻射地線和熱過道。類似這些HiFET合適RoHS的標準。
基本特征
28伏漏極偏壓
移動寬帶位置相配：DC–2.4GHz
高達hg6GHz的高頻率使用
高收獲：G=19dB@2GHz
高電率：P1dB=35dBm@2.0GHz
高非線性：IP3=50dBm@2.0GHz
效果，散熱處理的淘瓷包裝箱
運用
寬帶網軟件
油田20至28V
移動當地環交通網絡
PC移動通信基站
WLAN、中繼器和超無線局域網
Ck線VSAT
南航手機無線通信