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紅外光元集成電路芯片
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI編的地方。HiFET是種區域匹配好的發明權環保設配增加，使用高壓電、大馬力和寬帶網絡應用。該組件的總環保設配外場為12.8公分。AM032MH4-BI-R專為高工率微波射頻運用而構思，運作頻帶寬度萬代高達6GHz。BI類別使用特別的來設計的陶瓷制品芯片封裝，彎曲變形或直直的的引線和蝶閥法蘭盤使用放入式進行安裝具體方法。外包裝左下角的蝶閥法蘭盤時候用于直流電源保護接地系統、微波射頻保護接地系統和熱檢修通道。類似這些HiFET契合RoHS規定。
特征描述
28伏漏極偏壓
光纖寬帶一部分符合：DC–2.4GHz
高至6GHz的中頻操控
高增益控制：G=19dB@2GHz
高電功率：P1dB=35dBm@2.0GHz
高規則化：IP3=50dBm@2.0GHz
高效水冷散熱的淘瓷再生
選用
網絡帶寬利用
各類高壓20至28V
無線路由本土環交通網絡
PC基站設備
WLAN、中繼器和超局域網連接
C頻譜VSAT
民用航空網上通訊