CMD178C3都是款適用的雙和平混頻器,運用無鉛表層貼裝封裝形式,要用于11至20GHz的左右轉化運用。在調優了巴倫成分,CMD178C3對頻射和中頻網口都更具很高的底部隔離度,還有就是應該在低至+9dBm的低驅動包電平下工作任務。CMD178C3就能夠很最易地手機配置為圖相控制混頻器或含帶第三方混頻器和馬力分配比例器的單側帶配制器。
特征描述
低轉成耗率
高隔離防曬度
寬中頻段寬
真實傷害雙均衡拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝
微波通信元配件
速率LO / RF(GHz):11-21
頻點IF(GHz):DC - 6
增益控制(dB):-6
LO-RF底部隔離(dB):45
LO-IF底部隔離(dB):45
鍵入IP3(dBm):16
包:4x4 mm QFN
CMD178C3都是款適用的雙和平混頻器,運用無鉛表層貼裝封裝形式,要用于11至20GHz的左右轉化運用。在調優了巴倫成分,CMD178C3對頻射和中頻網口都更具很高的底部隔離度,還有就是應該在低至+9dBm的低驅動包電平下工作任務。CMD178C3就能夠很最易地手機配置為圖相控制混頻器或含帶第三方混頻器和馬力分配比例器的單側帶配制器。
特征描述
低轉成耗率
高隔離防曬度
寬中頻段寬
真實傷害雙均衡拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝