CMD253C3也是款高IP3雙均衡性混頻器,選用無鉛外表面貼裝芯片封裝,該用于6至14 GHz中的高低改變應用領域。仍然SEO優化了balun構成,CMD253C3對微波射頻和中頻端口號都都具有很高的隔離開度,有時候可能在低至+15dBm的低推動電平下本職工作。CMD253C3是可以很特別容易地配置單為帶外部結構混頻器和耗油率左右器的圖象可抑制混頻器或一側帶調試器。
特殊性
低轉變不足
高IP3
高消毒度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT二極管封裝
徽波元元件封裝
頻帶寬度LO / RF(GHz):6-14
幀率IF(GHz):DC - 5
增加收益(dB):-6
LO-RF隔離(dB):43
LO-IF隔離防曬(dB):39
發送IP3(dBm):23
包:3x3 mm QFN
CMD253C3也是款高IP3雙均衡性混頻器,選用無鉛外表面貼裝芯片封裝,該用于6至14 GHz中的高低改變應用領域。仍然SEO優化了balun構成,CMD253C3對微波射頻和中頻端口號都都具有很高的隔離開度,有時候可能在低至+15dBm的低推動電平下本職工作。CMD253C3是可以很特別容易地配置單為帶外部結構混頻器和耗油率左右器的圖象可抑制混頻器或一側帶調試器。
特殊性
低轉變不足
高IP3
高消毒度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT二極管封裝