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貼片電阻

至關重要主要參數

貼片內阻,極高250瓦，極高26 GHz

API Inmet作為了不同Powerfilm ?片式熱敏電阻器器。這個外層貼裝元器件封裝一般主要用于攪拌衰減器和威爾金森公率分配原則器中。貼片熱敏電阻器的阻值比率從5到300歐姆，有各式各樣長度和外層外理可供確定。其他的規劃，值和首選項也可應符合要求作為。

類產品具體詳情書

貼片電阻功率

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
26TPC20-40	1	26	BeO	Thick	X, W, S	G, N, T, H	0.02	0.04	0.01
	60	3	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.06
	20	4	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
ANC200-200	30	4	AlN	Thin	X, S	N, T, H	0.2	0.2	0.04
	40	2.5	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.25	0.25	0.04
ANC250-375	150	3	AlN	Thin	X	N, T, H	0.25	0.375	0.04
ANC350-225	100	2	AlN	Thin	X	N, T, H	0.35	0.225	0.04
ANC375-375	200	1	AlN	Thin	X	N, T, H	0.375	0.375	0.04
	10	2.5	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
	5	4	AlN	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
KAC100-200A	20	3	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
KAC250-250A	75	5	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.25	0.25	0.04
KAC250-375A	100	3	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.25	0.375	0.04
KAC60-120A	10	4	AlN	Thick	X, S	N, T, H	0.06	0.12	0.025
	3	18	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.02	0.04	0.01
	5	12.4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.025	0.05	0.01
	25	4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.05	0.1	0.01
	8	10	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.05	0.05	0.01
	50	4	BeO	TaN	X, W, S	G, N, T, H	0.075	0.15	0.01
PC50-50	5	4	Alumina	Thick	X, W, S	N, T, H	0.05	0.05	0.01
	65	4	BeO	Thin	X, W, S	N, T, H	0.1	0.2	0.04
	125	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.04
	80	1.5	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.25	0.06
	150	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.25	0.375	0.04
	250	1	BeO	Thin	X	N, T, H	0.375	0.375	0.04
	10	8	BeO	Thin	X, S	N, T, H	0.05	0.1	0.04
	10	6	BeO	Thin	X, W, S	N, T, H	0.05	0.1	0.025