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微波射頻元元件
硅基氮化鎵寬帶晶體管，DC-6 GHz，5W，28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW，脈沖和線性操作而設計，采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，輸出功率水平高達5W（37 dBm）。在低于3GHz的頻率下，NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的光纖寬帶進行
- NPTB00004的重復使用品急劇下降
- 排水系統利用率高（> 55％）
- 的行業細則朔料內包裝
- 28V實操
應用領域
- 空航航空工業與國防教育
- 聯通寬帶統一
- 國防安全移動通訊
- 極權主義
- VHF / UHF / Lk線聲納
- 無線wifi的基礎公共設施