CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板所采用標淮的pHEMT流程生產制造:柵極長短0.25μm,能夠的基板的通孔,氣流橋和自動化束柵星空刻。
它以存儲芯片方法展示 。
紅外光元電氣元件
CHA2066-99F 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ): 10 - 16收獲(dB):16增益控制同軸度(dB):0.5躁音常數(dB):2P-1dB傳輸(dBm):10定貨交貨時間:3-4周CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板所采用標淮的pHEMT流程生產制造:柵極長短0.25μm,能夠的基板的通孔,氣流橋和自動化束柵星空刻。
它以存儲芯片方法展示 。