CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它制定在從軍事到商業區通信網絡系統軟件的廣泛的使用。
該電路板用于pHEMT的工藝打造,柵極總長為0.15μm,能夠襯底的通孔,空氣中橋和電子技術工藝束柵北極光刻技術工藝打造。
它以基帶芯片方法出具。
微波射頻元電子器件
CHA2157-99F 放大器– LNA
微波射頻傳輸速率(GHZ):55-65增益值(dB):10增益控制同軸度(dB):1噪聲源數值(dB):3.5P-1dB打印輸出(dBm):15備貨交貨期:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它制定在從軍事到商業區通信網絡系統軟件的廣泛的使用。
該電路板用于pHEMT的工藝打造,柵極總長為0.15μm,能夠襯底的通孔,空氣中橋和電子技術工藝束柵北極光刻技術工藝打造。
它以基帶芯片方法出具。