CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該商品為預警雷達和聯通網絡等各項RF開關電源選用作為公用和帶寬完成設計。
它是由于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術性搭建的,從而獨特合適RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006消息的明文規定。
它以裸存儲芯片手段提出者,或者需求對外部配對電路板。
微波通信元部件
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻繁(GHz): 14 @ 6事情頻點(GHz):很多6個飽和工作功率(W): 20PAE(%)@頻次(GHz): 60 @ 6購貨交貨時間:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該商品為預警雷達和聯通網絡等各項RF開關電源選用作為公用和帶寬完成設計。
它是由于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術性搭建的,從而獨特合適RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006消息的明文規定。
它以裸存儲芯片手段提出者,或者需求對外部配對電路板。