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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

必要數據

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

微波射頻速率（GHz）： 1.2-1.4小移動信號增益值（dB）：20效率（W）：200相應的增加收益（dB）： > 14P-1dB輸出的（dBm）：-PAE（％）： 52定購交貨：3-4周

物料內容講述

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

相對滿足脈沖信號汽車雷達應用軟件。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT技藝上說出的。它由于準MMIC技藝。

它使用填料密封卡箍陶瓷圖片金屬材質電源開關打包封裝，可可以提供低寄身和低導熱系數。