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CGH21120F有的是種氮化鎵（GaN）高電子器件挪動率晶狀體管（HEMT），專為高效、性價比最高率、高收獲和寬帶網絡學習能力而結構設計，這使人CGH21120F無比適宜1.8-2.3GHz WCDMA和LTE拖動器操作。晶狀體管應用瓷質/重金屬法蘭盤芯片封裝。

特色?1.8-2.3 GHz運營?15 dB增益控制?-35 dBc ACLR，20W水泥路?20W商鋪時35%的速度?可采取寬度DPD效準