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Cree單位的CMPA2560025F就是種基本概念氮化鎵（GaN）高光電子無線轉化率多氯化鈉晶體管（HEMT）的單支徽波集成化控制電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相對比，GaN都更具挺高的電流擊穿電流、挺高的飽和光電子無線漂移轉速和挺高的熱導率。與Si和GaAs多氯化鈉晶體管相對比，GaN-hemt還都更具挺高的工作電壓密度單位和更寬的下行帶寬的配置。在這種MMIC涉及一兩個有級反饋自動匹配放縮器，使十分寬的下行帶寬的配置就可以在一兩個小的土地征用規模的緊固裝封，都更具銅鎢，散熱處理器。

的特征?24 dB小移動信號增益值?25 W典型案例PSAT?運轉電壓降自由高達28 V?高線電壓擊穿線電壓?高溫度運轉

用?超長帶調小器?金屬控制器器?測評器材?EMC變大器