2英文
徽波元配件
AM025WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為2.5mm。它也是個陶瓷圖片封裝形式，崗位幾率高達mg8千兆赫。BI系列表運用特殊性裝修設計的陶瓷圖片裝封，運用添加式按照模式，帶異耐折（BI-G）或直（BI）電纜。封裝頂端的活套法蘭同時充當直流變壓器與地面、頻射與地面和熱區域。此一些適合RoHS。
特征描述
到達8GHz的中頻操作步驟
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
界面貼裝
有效果導熱的低層
使用
高靜態接受到器
蜂窩手機無線基站設備
寬帶網和窄帶變小器
汽車雷達
測量測量儀器
中國軍事
抑制器