常常
紅外光元器材
AM012WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總參數為1.25厘米。它是在個淘瓷雙包工作多達10千兆赫。BI款型選擇特俗定制的淘瓷封裝形式，選擇融入到式裝置具體方法，有回彎（BI-G）或直（BI）電纜。封裝底下的法蘭片直接代替直流電源接地保護保護、微波射頻接地保護保護和熱短信通道。此一些按照RoHS。
結構特征
高達到10GHz的中頻操作的
增加收益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外表貼裝
有效率散熱管的下層
操作
高動態性閱讀器
蜂窩無線wifi通信基站
移動寬帶和窄帶變成器
雷達天線
自測議器
中國軍事
電磁波輻射器