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AM025WN-00-R不是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總間距為2.5亳米（幾個1.25毫米（mm）FET電容串聯）。它是一種個裸模，可操作方法自由高達15千兆赫。它需要出具40.5 dBm的類型飽和效率。此部位合乎RoHS。

癥狀

將高達15GHz的高頻率方法

在2GHz時增益值=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

應用領域

蜂窩無限基站設備

無線網絡局域網絡、中繼器

Ck線VSAT

汽車雷達

檢測議器

日本軍事