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選用體現了自由柵極偏置操控的并行傳輸納米線管的GaN HEMT調小器的規則化增加

發布消息耗時：2018-05-04 13:53:07     觀看：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：用到還具有獨立的柵極偏置控制的串連尖晶石管的GaN HEMT增加器的線性網絡強化。 GaN HEMT有較高的讀取瓦數體積密度和較寬的帶寬起步錯誤率。因為，GaN HEMT的曲線一般地比GaAs功效電子元器件的曲線更差。我們給出來一堆種方便的方式方法步驟來提升GaN HEMT的曲線度。所給出來的方式方法步驟是將功效電子元器件分為與單獨設定的柵極偏置額定電壓并接的好幾個子第一機組，如果將瓦數合共為子第一機組讀取。辦演放小器..
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