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HMC219B都是款超不同規格的中中小型基礎雙均衡性混頻器，選擇8引腳超不同規格的中中小型塑膠板材表貼電源芯片封裝，帶漏出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電源芯片徽波智能家居控制電路原理原理(MMIC)混頻器選擇砷化鎵(GaAs)合金材料半導體材料場現象單晶體管(MESFET)制作工藝制造技術，不需要 外部部件或符合電路原理原理。該元器件封裝可以使用作頻帶寬度依據為2.5 GHz至7.0 GHz的上伺服驅動器器、下伺服驅動器器、雙相解調器或相位相對器。 立維創展HMC219B采用了通過網站優化的巴倫形式，帶來了漂亮的本振(LO)至微波射頻(RF)分隔及LO至中頻(IF)分隔效能。按照RoHS標準規范的HMC219B不同線焊，與高功率表貼打造技木兼容。MMIC效能穩定的可增長體統崗位錯誤率并保障按照HiperLAN、U-NII和ISM標準符合要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GEapp

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖