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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

之后，孩子努力的的技術成果造成無源GaN混頻器設汁在顯示三階交調截點（IIP3）與原生振動器（LO）伺服驅動軟件器器的比列管理方面高出所以砷化鎵（GaAs）無源混頻器設汁 - a高品質質數訂制MMIC無法創造自己直線吸收率。從S光波到K光波（2 GHz到19 GHz），等等新型的無源GaN混頻器展出的IIP3數字1遠超過30 dBm，LO伺服驅動軟件器電平約為20 dBm，直線吸收率超過10 dB。

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