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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT還具有高輸入功效密度計算公式和寬帶網絡寬下的高率。所以GaN HEMT的曲線網絡度普通比GaAs集成電路芯片的曲線網絡度差。這篇文章提到新一種簡潔的策略來提高GaN HEMT的曲線網絡度。所提到的策略是將集成電路芯片拆分與單獨控制的柵極偏置工作電壓串聯的幾個子單位測試卷，接著對仗單位測試卷輸入去功效三人組合。

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