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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

特點GaN基SiC HEMT能力單脈沖造成的造成的CW特性：2155 MHz，48 V，40μs脈沖造成的造成的高寬比，10%pwm占空比，組和輸進內容輸出轉換馬力@P4dB=630 WP4dB=68%時的學習效率實現RoHS的標準化建設護膚品型號規格分享：熱減弱GaN變成器630 W，48 V，2110-2200 MHz最多頻帶寬度（MHz）：2200電原電阻值（V）：48PSAT Watt（W）：85增益控制（dB）：16.5芯片封裝：TO288-8L成都 市立維創展信息技術有現總部代理權經銷處CREE微波通信元器件，要是應該購CREE產品的，請超鏈接右下客戶服務關系我們都！！！