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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT有的是種網絡帶寬硫化鋅管處理芯片，根據DC-3.5 GHz工作中中參與了seo。該集成電路芯片適合CW，單脈沖和線性網絡工作中中，的輸出馬力為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150極為適合于中國軍事通訊技能，大陸架移動無限電，航材智能電子機 ，無限基礎上措施，ISM應用和VHF / UHF / L / S中波段汽車雷達。主要采用SIGANTIC®流程研發 - 本身專有的GaN-on-Silicon技能。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是高度必然這家主要用于微波射頻應用軟件的GaN on Si枝術供給商。.我在Si RF工率氯化鈉納米線管企業護膚品上可以展示范圍廣的累計波（CW）GaN，成為分立元器件和版塊，規劃工作的在DC至6 GHz。.我的高工率CW和規則化氯化鈉納米線管是民用建筑飛機電商設備，流量，網絡數據，長脈沖激光預警雷達同時工業，科學學和整形應用軟件的滿意選。.我的企業護膚品搭配組合運用了MACOM少于60年的老式，即便 用GaN on Si枝術可以展示條件和私人訂制解決辦法實施方案，以提供合作方最苛求的要。.我的GaN on Silicon企業護膚品，運用分立氯化鈉納米線管和模塊化放縮器，運用0.5毫米HEMT工序，在工率，收獲，收獲AA度，高效率等方面行為 出優良的RF能，