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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D摸式變小器，可在于多規范蜂窩狀電率變小器方法適用。GTVA261802FC-V1掌握輸入適應、高效能率和無軸環熱怎強二極管封裝的特質。

食品型號規格

詳述：SiC HEMT上的高瓦數RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最底工作頻率（MHz）：2620

最高的幾率（MHz）：2690

P3dB傷害最大功率（W）：170

收獲值（dB）：16.8

率高率（%）：43

功率直流電壓（V）：48

封裝品目：Earless

封口：封口分立結晶體管

新技術：SiC上的GaN

有特點

?GaN-on-SiC HEMT科技

?手機輸入支持

?經典的脈沖發生器CW使用性能，結構打印輸出，

2690 MHz，48 V，10μs脈寬長度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的傳輸功效

-P3dB時的漏極低率=65.5%

-P3dB=15dB時的增益值值

?才能實現48 V、180 W（CW）讀取工作功率下10:1的VSWR

?平面模特模式1A級（會根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱比率

?無鉛并充分考慮RoHS規格

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