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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高電率RF GaN縮放器，采用于多規格蜂窩狀功效縮放器系統采用。GTRA262802FC應具輸人適應、更高速率和無軸環熱增加裝封的性能指標。

標準參數值

論述：SiC HEMT的高公率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

較低頻率（MHz）：2490

極高頻點（MHz）：2690

P3dB傳輸瓦數（W）：250

增加收益值（dB）：14

質量（%）：54

額定功率工作電壓（V）：48

封裝形式類別：Earless

裝封：裝封分立結晶管

技術性廣泛應用：SiC的GaN

特點

?GaN-on-SiC HEMT能力采用

?放入適應

?一般的輸入脈沖CW特點，2605 MHz，48 V，組裝所在，16μs脈寬高寬比，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸出精度輸出

-能力=62%

-增益值值=14.4 dB

?時在48 V、38 W（CW）輸送熱效率下實際操作10:1 VSWR

?中國女模3d模型1A級（通過ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱導率

?無鉛并滿足需要RoHS規范

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