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?PXAE263708NB-V1 S頻譜大工作電壓微波射頻LDMOS場定律氯化鈉晶體管

發表時間:2024-11-04 16:57:13     網頁瀏覽:668

PXAE263708NB-V1是CREE的1款400瓦(P3dB)LDMOS FET,軟件應用于2620至2690 MHz頻段的多條件蜂窩狀電機功率調小器的關鍵技術軟件。涉及鍵盤輸入輸出精度兼容;高增加收益或是具備著無突緣的熱增強打包封裝形態。PXAE263708NB-V1選擇顯著的LDMOS生產工藝方法;PXAE263708NB-V1都具有很好的熱平衡性和出色的衛生的性能。

PXAE263708NB-V1.png

車輛規格為

詮釋:高公率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

最高頻繁 (MHz):2620

最低速率(MHz):2690

P3dB輸出電壓工率(W):400

增益值(dB):13.5

效應(%):47

載荷系數電壓降(V):28

封裝形式品類:塑膠板材

封口:封口組織形式分立單晶體管

技術性:LDMOS

本質特征

移動寬帶企業內部填寫輸出精度更換

非對稱軸性Doherty設計的:主P1dB=140W非常典型值;最底值P1dB=260 W典型的值

典型案例的電脈沖CW因素;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傳輸公率;P3dB=400W時的效果最大功率;工作效率=49%(POUT=57 W對數正態分布);收獲=15 dB(POUT=57 W標準差)

就能凈化處理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸入輸出功效

智能家居控制化ESD保護措施

無鉛并滿足了RoHS規則

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