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GTRB204402FC/1是CREE的有款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子設備轉入率尖晶石管（HEMT），傾力于多規定蜂窩狀額定功率變大器枝術應運需要量方案。GTRB204402FC必備生產率高率和無軸環的熱提高封裝類型。

成品產品規格

介紹：SiC HEMT上的高公率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

很低概率（MHz）：1930

非常高工作頻率（MHz）：2020

P3dB輸入電機功率（W）：350

收獲值（dB）：16.3

高率（%）：58

額定電阻（V）：48

芯片封裝行業類別：Earless

封口：封口分立多晶體管

高技術：SiC上的GaN

基本特征

典型示范的脈沖信號CW功能，2020 MHz，48 V，10μs脈沖信號總寬，10%pwm占空比，搭檔內容輸出

P3dB=350W時的轉換電功率

P3dB時的極有效應率=65%

嫩模型號1C級（選擇ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并要求RoHS基準

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