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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子移遷率結晶管（HEMT），選用在多標準的蜂窩狀電機功率增加器技術工藝選用。GTRB226002FC-V1必備條件有效率化和無軸環的熱不斷增強封裝方法方法。

物品規格參數

舉例說明：SiC HEMT上的高輸出RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

極低頻繁 （MHz）：2110

最好規律（MHz）：2200

P3dB輸出精度工作效率（W）：450

增益控制值（dB）：15

學習效率（%）：60

特征描述

典例的脈沖造成的CW能力：10μs脈沖激光長寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty治具使用率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的傷害電率

模特兒模式1B級（結合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱導率

無鉛并充分滿足RoHS準則

GaN基SiC HEMT技術性

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