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WS1A2639-V1-R3K是CREE的兩款非相對性多赫蒂效率變成器版塊（PAM），將GaN on SiC新新技術應用領域和新數字化的篩選和偏置電流系統軟件整合在應具高端品牌水冷散熱系統軟件的多層住宅層壓材料的特性上。WS1A2639-V1-R3K頻繁比率在2496 MHz至2690 MHz。但會適用極高50V的電源開關的電壓；平均值輸入熱效率標準化為6至8 W，最快值系數回落，阿拉伯數字預失正品LTE和5G NR數據顯示數字信號，瞬時服務器帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝形式中。

品牌規格參數

詮釋：38.5dBmGaN on SiC額定功率放小器傳感器；2496-2690MHz

評均幾率（MHz）：2496

較高頻次（MHz）：2690

P3dB輸出電壓電功率（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

熱效率（%）：57

額定值額定電流（V）：48

芯片封裝品類：界面貼裝

裝封類型：裝封類型分立結晶體管

技術工藝用：SiC上的GaN

的特點

GaN基SiC技術app

從電子元器件下方作為主導和非常高值子調大器掌握柵極偏置電阻值電源開關

集合化諧波末端

無鉛并滿足了RoHS規定

建議的控制裝配是WSGPA01

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