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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高電子器材移遷率氯化鈉晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵想必較，GaN必備出色的能；包括較高的穿透場強；飽和點微電子偏離快速較高；和其較高的換熱性。與Si和GaAs晶胞管比起來較，CGHV60170D可以提供較高的工作電壓高密度和更寬的頻率段間距。

好產品樣式

陳述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT心片

最少規律（MHz）：0

至高概率（MHz）：6000

增加收益值（dB）：17

封裝類型種類：Die

特性

65%典型示范輸出功率額外添加利用率

170 W典型性PSAT

50V反控

高穿透場強

頻率條件高至6 GHz

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