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CMPA0060002D也是種配有氮化鎵（GaN）高電子元器件知識率硫化鋅管（HEMT）的單支微波通信一體化電路板（MMIC）。與硅或砷化鎵對比較，GaN更具更加的高品質的能力，包函較高的擊穿電壓場強、較高的飽合光電子漂移速率與較高的導電指數公式。與Si和GaAs晶狀體管好于較，GaN HEMT還給出更多的電機功率體積密度和更寬的帶寬起步。CMPA0060002D安全使用規劃式（導波）圖像運放電路設計制作要點，也可以在更小的需要戶型內完成極寬的帶寬的配置。

優點

?17 dB小手機信號增益值值

?2 W典型示范PSAT

?載荷系數直流電壓自由高達28V

?高損壞場強

?高熱度用到

?寸尺0.169 x 0.066 x 0.004寸大

應用

?加寬帶變成器

?金屬線推動器

?試驗機械

?EMC調小器驅動安裝器

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