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?第四代650 V裸片SiC MOSFET

發布信息的時間：2025-01-03 16:57:39     觀看：630

行業內人士超標桿導通熱敏電阻和開關按鈕耗費，就能夠建立合適穩定性和輸出溶解度主要參數。

Wolfspeed不同第四代650 V SiC MOSFET新增了其無定形碳硅（SiC）技巧上的主要實力地位。在更局面的用電機系統中足夠身形更小、稱重更輕、更好效的用電和轉化了。650 V SiC MOSFET是效果有遠見化工交流電源、服務器/鐵通電腦網絡開關電源、新再生能源電動四輪車（EV）快充器、儲熱機械、作為應急的供電（UPS）和蓄電池標準化管理模式等的功能的最優選。

功能

高低溫氛圍的低導通電容

低寄托在電感

具有過低反相回到的便捷電子元器件大家庭中的一員-二極管

持繼耐高溫控制車（Tj=175°C）

MOSFET.png

優越

憑借修改面板開關和輸送損耗率加快機 有效率

達成高電源開關頻繁控住

增長設備級輸出黏度參數指標

降低了裝置尺寸；含水量；和保壓規定要求

其最典型的軟件

工業園電源線

服務保障器/鐵通網咯

新清潔能源沖電樁安裝

全釩液流電池儀器（ESS）

應急處置電原（UPS）

充電電池服務管理控制系統（BMS）

CREE科銳于2017年區分出微波通信rf射頻國產品牌Wolfspeed，以帶寬、大耗油率變小器物料為特色化。

蘇州市立維創展科枝是CREE的銷售商，成為CREE微波加熱集成電路芯片特點訂貨營銷渠道，個人擔保合格產品合格產品。

*部份產品型號需報考意大利出口商同意。信息詢問非常多款式，喜歡資訊立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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