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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為2.5mm。它在瓷質芯片裝封形式中操作會達8 GHz。BI系使用的層次性規劃的瓷質芯片裝封形式，具備著彎度（Bi-G）或直（BI）引線的裝方試。芯片裝封形式頂端的法蘭片時候做直流電跨接、頻射跨接和熱路。這本分是達到RoHS標淮的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
合理cpu散熱的邊側

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機